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This is why the input terminal is called the Gate, and the output terminals Collector and Emitter. An IGBT consists of four layers of semiconducting material. This gives it a PNPN structure. MOSFET vs IGBT. While they fall under the same umbrella of transistors (FET), they do vary in many characteristics as we shall soon see. Let’s take a look. Right off the bat we can see that the first major difference between the two transistors is their physical construction. MOSFET vs IGBT difference #2: Voltage. In these circuits the device in question is operating at a voltage that is higher than that of the voltage that the logic circuit is operating at. The amount of voltage that these devices operate at will determine how much voltage the MOSFET or IGBT will be subjected to. When it comes to voltages, IGBTs are best suited for high voltage applications as they can handle voltages in excess of 1000 volts.
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