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Therefore, it was confirmed that the resistance increased by about 13% during the degradation process ( R CE_Healthy = 17.76 mΩ). According to [44], although this resistance ( R CE ) is the sum of the resistances of the chip, bond wires, and terminal connections, only the resistance of the bond wires changed considerably during the degradation and aging process. The initial voltage ( V CE 0 ) was reduced to 1.00 V from the previous value of 1.03 V, which only showed a slight change. 4. Conclusions. Comparison of the curves of a healthy IGBT and an aged IGBT shows that the electrical resistance ( R CE ) of the degraded IGBT increased by about 13% during the degradation process, while the initial collector-emitter voltage ( V CE 0 ) did not show much sensitivity. The V GE – V CE curve is also provided to show the influence of IGBT operation at high temperatures or high electric fields. The values at the two knee points were compared, and it was found that this aging process did not have a significant effect on the gate threshold voltage. It is likely that in our case, the bond wires are most affected during the performed power-cycling test and aging process. Formula milionaria.Antes de sacar na Faz o Bet Aí, é necessário ter verificado a sua conta na plataforma.
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