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2N4901SMD-JQR : 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB. s: Polarity: PNP ; Package Type: HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN. An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal semiconductor device it is a hybrid of MOSFET and BJT for high efficiency and fast switching. The power BJT has the advantage of low on state power dissipation but it cannot be switched at faster rates due to longer turn-off time, whereas MOSFETs have a very high switching speed but their power handling capacity is not as good as that of BJTs. Therefore we made an insulated gate bipolar transistor (IGBT) to combine BJTs and MOSFETS monolithically on the same silicon wafer to develop a new device that will have the best qualities of both, BJT and MOSFET. Features of IGBT: Low on-state voltage drop. It has a higher switching frequency than that of a power BJT. Basic Structure of IGBT: Read this article to understand the VI characteristics of IGBT. This will reduce the resistance offered to the current flow and hence the on-state power loss taking place in the device. The doping levels used in different layers of IGBT are similar to those used in the comparable layers of the power MOSFET structures except for the body region. Paredão amanhã.Agora é só clicar no botão verde “Criar conta” e já tem seu cadastro na Galera bet Brasil.
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