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The full form of IGBT is Insulated Gate Bipolar Transistor. Figure-7 depicts 600 Volt G6H Trench IGBT structure and circuit symbol. Both the structures look same, but the main difference in IGBT p-substrate is added below the n-substrate. Following points summarize useful comparison between IGCT and IGBT: ➨IGBT has high switching frequency compare to IGCT. ➨IGBT lifetime is ten times greater than IGCT. ➨IGCT has low ON state voltage drop. ➨IGCT are made like normal disk devices which has high electro-magnetic emission. They also have cooling problems. Simple drive circuit Low on-resistance High voltage capacity Fast switching speed Easy of drive Low switching loss Low on stage power dissipation Low gate drive requirement High switching speed High input impedance Voltage control device Smaller snubber circuit requirement It has Superior current conduction capability It is easy to turn ON and OFF It has excellent forward and reverse blocking capabilities Switching frequency is higher than the BJT Enhanced conduction due to bipolar nature IGBT has a very low on-state voltage drop due to superior on-state current density and conductivity modulation. So the cost can be reduced and a smaller chip size is possible. Quem saiu do paredão.Aplicativos móveis.
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