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Sep 12, 2023 | Market News Infineon presents XENSIV™ tire pressure sensor with intelligent features for tire pressure monitoring systems. IGBT significa Transistor bipolar de porta isolada , um semicondutor de potência que inclui o características de um MOSFET's alta velocidade, comutação de porta dependente de voltagem e as propriedades de resistência mínima ON (voltagem de baixa saturação) de um BJT . Os IGBTs, que prometem velocidade de comutação rápida junto com características de tensão de saturação mínima, estão sendo usados em uma ampla gama, de aplicações comerciais como unidades de aproveitamento de energia solar e fonte de alimentação ininterrupta (UPS), a campos eletrônicos de consumo, como controle de temperatura para cooktops de aquecedor de indução , equipamento de ar condicionado PFC, inversores e estroboscópios de câmeras digitais. Devido a isso, sempre que portadores minoritários (orifícios) tendem a ser inseridos através da camada p + para a camada n com modulação de condutividade, a resistência da camada n diminui drasticamente. Posto isto, considerando que para o percurso do fluxo de saída dos furos, é proibida a acumulação de portadores minoritários nos períodos de desligamento devido ao design particular do IGBT. Avaliações máximas absolutas. Cruzar esses valores máximos absolutos especificados, mesmo que momentaneamente, pode resultar na destruição ou quebra do dispositivo, portanto, certifique-se de trabalhar com IGBTs dentro das classificações toleráveis máximas, conforme sugerido abaixo. Mesmo que os parâmetros de aplicação recomendados, como temperatura / corrente / tensão de trabalho, etc., sejam mantidos dentro das classificações máximas absolutas, no caso do IGBT ser frequentemente sujeito a carga excessiva (temperatura extrema, grande fonte de corrente / tensão, oscilações extremas de temperatura, etc.), a durabilidade do dispositivo pode ser gravemente afetada. Os dados a seguir nos informam sobre as várias terminologias e parâmetros envolvidos com o IGBT, que normalmente são usados para explicar e compreender o funcionamento de um IGBT em detalhes. A fórmula mostrada abaixo torna-se aplicável em situações em que a temperatura ambiente TC = 25 graus Celsius ou mais. Para condições onde a temperatura ambiente TC é = 25 ℃ ou inferior, a dissipação do coletor IGBT é aplicada de acordo com sua classificação máxima absoluta. Ic = (Tjmax - Tc) / Rth (j - c) × VCE (sat) A corrente de coletor dos IGBTs é determinada por sua tensão de saturação de coletor / emissor VCE (sat), e também dependendo de suas condições de corrente e temperatura. Por esse motivo, os usuários são aconselhados a nunca exceder o limite máximo tolerável de IGBTs ao usá-los em uma determinada aplicação de circuito. Portanto, certifique-se de considerar esses cenários ao implementar um IGBT.
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