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In these cases, final device selection is based on other factors such as thermal impedance, circuit topology, conduction performance, and packaging. A ZVS power-factor-correction (PFC) circuit is one example of an application that falls into the crossover area between IGBTs and MOSFETs. When both device types are tested in hard-switching applications, measurements show that the MOSFETs exhibit lower losses (Fig. 3). When the application uses zero-voltage switching, results vary with operating temperature. With 50-kHz switching and a 500-W output, the 9.5-W IGBT losses are higher than the 7-W MOSFET losses at room temperature (Fig. 4) . If output power remains at 500 W and the switching frequency is raised to 134 kHz at the higher temperature, the IGBT will exhibit slightly worse losses (25.2 W) than the MOSFET (23.9 W). Betano apostas desportivas.Ja em abril, a mala de viagem precisa de roupas quentes, mas nada de acessorios termicos ou casacos de neve. Durante a noite as temperaturas ficam mais baixas, principalmente pelos vento gelados dos rios, por isso acessorios como cachecol, gorro e luvas podem ajudar os turistas.
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