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At this time, the diode file, the resistance file, and the capacitance file of the multimeter are generally used. It is worth noting that the test data of the multimeter is not universal and can only be used as a reference. Its electrical connection is shown in Figure 3. The upper and lower bridges of the module have 4 sets of IGBT and FWD chips connected in parallel through the bonding line. The equivalent electrical symbol is shown in Figure 4: With the diode file, the forward voltage drop VF of the freewheeling diode can be measured. Short the gate-emitter, connect the emitter with the multimeter red pen, the black pen is connected to the collector, and the normal module VF will be around 0.3~0.7V. If the VF is too large, the FWD chip or bonding wire will be disconnected. A short circuit occurs in the FWD or IGBT chip. (2) Measure the resistance between the gate-emitter (gate-collector) of each IGBT tube in the module. The multimeter red and black test leads are connected to the gate and emitter (gate and collector) respectively, and the normal module also shows high impedance. When a driver board is connected to the module, the gate-emitter resistance is equal to the bleeder resistance, typically several thousand ohms. Sportfacil com.24 de mai.
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This article explains IGBT, its symbol, construction and working principle with relevant structure and circuit diagrams. IGBT is also known as metal oxide insulated gate transistor (MOSIGT), conductivity-modulated field effect transistor (COMFET) or gain-modulated FET (GEMFET). It was initially called Insulated Gate Transistor (IGT). The p+ substrate is also called injector layer because it injects holes into n- layer. The n- layer is called drift region. The next p layer is called the body of IGBT. The n- layer in between the p+ & p region serves to accommodate the depletion layer of pn- junction i.e. J2. From the above figure, it is clear that as we move vertically up from collector to emitter, we come across p+, n-, p layers. This means that IGBT can be thought of as the combination of MOSFET and p + n – p transistor (Q 1 ).

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