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Gate terminal as it is the input part, taken from MOSFET while the collector and emitter as they are the output, taken from the BJT. Construction of IGBT. The emitter and gate are metal electrodes. The emitter is directly attached to the N+ region while the gate is insulated using a silicon dioxide layer. The base P+ layer inject holes into N- layer that is why it is called injector layer. While the N- layer is called the drift region. Its thickness is proportional to voltage blocking capacity. The P layer above is known as the body of IGBT. Related Post: What is the Difference Between DIAC and TRIAC? As we know that IGBT is the combination of input of MOSFET and output of BJT, it has an equivalent structure to N-channel MOSFET and a PNP BJT in Darlington configuration. The resistance of the drift region can also be incorporated. Working of IGBT. The collector-emitter is connected to Vcc such that the collector is kept at a positive voltage than the emitter. To walk tradução.Assim, escolha a casa de apostas que parecer mais adequada para seu nível de experiência e conhecimentos no mercado e siga os passos abaixo.
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