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T J – Temperatura de operação da junção – normalmente adotada para a indústria o valor de 150° C. Com o componente desligado (off) V GE(th) – Tensão limiar gate-emissor (G-E Threshold Voltage) – é a tensão que aplicada entre o emissor e a comporta faz com que o dispositivo inicie a condução. Normalmente é especificada para o ponto em que a corrente de coletor atinge um determinado valor. C ies – Capacitância de entrada (Input Capacitance) – é a capacitância entra a base e o restante do dispositivo com o coletor curto-circuitado ao emissor. Figura 16 – Capacitâncias num IGBT. Figura 17 – Características de comutação. t d(off) – Tempo de desligamento(Turn-Off Time) – tempo que demora para que a tensão entre o emissor e o coletor atinja 10% do Vcc a partir do instante em que o pulso de disparo é removido. Na figura 18 temos o circuito térmico equivalente a um IGBT. R θSA – Resistência térmica do dissipador para o ambiente (Thermal Resistance, Sink to Ambient) – determinada pela geometria do dissipador e pelo método de refrigeração, além da área do dissipador. Como escolher o dispositivo ideal para uma aplicação? Quais são as diferenças, principalmente relativas à perdas entre os dois tipos de dispositivos? Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a camada -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar. Para o MOSFET o tempo que o transistor leva para deixar de conduzir a corrente depende apenas da capacitância de gate, enquanto que para o IGBT este tempo é maior, dependendo das características da própria estrutura do semicondutor. Assim, para os IGBTs existem tecnologias novas como a Trench e Fieldstop que possibilitam uma redução da tensão de saturação Coletor-Emissor (V ce(sat) ). Outras tecnologias possibilitam uma redução nas perdas dinâmicas.

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