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In the next stage, a power-cycling test was performed, and the impact of degradation on the IGBT was analyzed by these measurement methods. Balde de Gelo para 1 garrafa produzido em PP / polipropileno injetado com aplicação de logo estampado em silk localizado frente a traço ( o mesmo logo no verso em cortesia se for em 1cor filmes sobre jogos de casino ). The internal resistance increased by 13%, while the initial collector-emitter voltage and voltage at the knee point in the V CE – V GE curve slightly changed. It is likely that in our case, during the performed power-cycling test and aging process, the bond wires were most affected, but this hypothesis needs further investigation. Today, power semiconductor devices have become an integral part of power electronic circuits, and advances in these devices have had a huge impact on related industries as high-power circuit designs have become possible. Since bipolar power transistors offer a low-current gain, placing these bipolar transistors in high-voltage fields will significantly increase the size and weight of the designed circuit; by its nature, the cost of the system will be also escalated [1]. As an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a combination of metal–oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and bipolar junction transistor (BJT), it has inherited the positive features of both the transistor and MOSFET [2]. For this reason, while designing a high-power circuit, much attention is paid to the correct choice of the IGBTs in accordance with the relevant application. Nevertheless, the designers should consider the practical limitations of the power semiconductor device and have a good understanding of all the operating details of the selected IGBT. Perhaps the most important characteristic that the designer should pay attention to is the electrical characteristics of the IGBT. Different performance characteristics curves are provided in the datasheet by the manufacturer, and with a closer look at them, it can be predicted that the selected IGBT is suitable for the desired application. Among these different curves, the I C – V CE curve is enormously important, as it shows the relationships between the collector current ( I C ) and the collector-emitter voltage ( V CE ) at different gate-emitter voltages ( V GE ) and different temperatures ( T j ) [3]. Resultado de boca juniors.Concluindo: use com moderação.
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Rimando então para aqueles que estão realmente interessados em perseguir essa documentação acadêmica completa componente. O GTO ou GateTurn-Off Thyristor, como o nome indica é um Tiristor que pode ser desligado por um sinal aplicado à comporta. Com aplicações importantes na eletrônica de potência o GTO têm características adicionais que precisam ser bem conhecidas para que ele possa ser usado convenientemente. Outro componente da mesma família é o IGCT ou Integrated Gate Controlled Thyristor que também pertence à mesma família, e que merece ser analisado. Os dois dispositivos da família dos tiristores não são tão novos assim, mas poucos leitores sabem utilizá-los em seus projetos. Assim, com a finalidade de ajudá-los a contar com mais recursos nos seus projetos vamos analisá-los. Uma das dificuldades que os projetistas encontram ao utilizar SCRs em seus projetos é que esses componentes, uma vez disparados, assim se mantém mesmo depois que o sinal de comporta tenha desaparecido. Conforme podemos ver, não adianta aplicar uma corrente negativa na comporta pois ela simplesmente o transistor equivalente de realimentação de modo a impedir que ele continue conduzindo. O único meio de se desligar esse circuito é fazendo com que a corrente principal caia abaixo do valor de manutenção. Essa estrutura leva a um componente que apresenta as seguintes diferenças em relação a um SCR comum: O resultado disso é o GTO, um componente cujas curvas características são mostradas na figura 3.
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