Jogos da bulgária. O que são esportes.

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Por este motivo, os IGBTs são preferidos para as aplicações que operam com baixas frequências de comutação, enquanto que os MOSFETs de potência têm um melhor desempenho nas aplicações em que correntes de frequências mais elevadas devam ser controladas. Assim, para os IGBTs existem tecnologias novas como a Trench e Fieldstop que possibilitam uma redução da tensão de saturação Coletor-Emissor (V ce(sat) ). Outras tecnologias possibilitam uma redução nas perdas dinâmicas. Para os MOSFETs existem também novas tecnologias disponíveis que reduzem as perdas inerentes de condução o que torna o dispositivo eficiente em frequências que atingem algumas centenas de quilohertz. Se não existem dúvidas de que, nas baixas frequências, o melhor é usar um IGBT e nas altas frequências um MOSFET de potência, o que fazer quando temos um projeto que opere numa faixa intermediária de frequências? O que vamos fazer a seguir é uma comparação entre os IGBTs e os MOSFETs de potência mais modernos verificando a eficiência de cada um nas aplicações para a faixa média de frequências. Figura 19 – Símbolos para o IGBT e MOSFET. Aplicações com o diodo anti-paralelo. Na figura 20 mostramos uma comparação entre as perdas de potência P(tot) e a frequência dos pulsos (fp) para componentes em invólucros TO-220 TO-263 na linha de dispositivos de 600 V. Conforme podemos pelas curvas, o IGBT leva vantagens em relação ao FET nas baixas frequências até uns 30 kHz, enquanto que o MOSFET leva vantagens acima de uns 60 kHz, principalmente quando passamos dos 100 kHz. Tamanho da Pastilha.

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