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Based on the results obtained, it was decided that the TW070J120B 2nd Generation SiC MOSFETs would be the optimal fit. This device has 70mΩ on-resistance, which translates into almost the same conduction loss (4.4W) as that of the existing IGBT. In the circuit of the existing product, the IGBT was replaced with 2nd Generation SiC MOSFETs TW070J120B. It was calculated that the switching loss at a phase current of 10A, based on the switching waveform and other factors, would lead to turn-on switching loss of 2.5W and a turn-off switching loss of 1.5W. The following is a comparison of each loss between the existing IGBT and the replacement 2nd Generation SiC MOSFETs. By replacing the IGBT with a TW070J120B, the turn-on and turn-off losses were significantly reduced, with a total loss reduction of 5.9W (from 14.4W down to 8.5W) being achieved. Turn-on switching loss. IGBT existing model. (approximately 2% increase) (approximately 78% decrease) The enhanced switching characteristics of the SiC MOSFETs are largely related to the significant reduction in switching losses.

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