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Beachten Sie, dass es gibt zwei p-n Übergänge jetzt, und das gibt dem IGBT einige Eigenschaften eines Bipolar-Junction-Transistors (BJT). Durch die Transistoreigenschaft dauert es länger, bis ein IGBT ausgeschaltet wird, verglichen mit einem Leistungs-MOSFET. Dies ist jedoch immer noch schneller als die Zeit, die ein BJT benötigt. Unterschied zwischen IGBT und MOSFET. MOSFETs habe eine p-n Kreuzung. Maximale Spannung. IGBTs haben die Fähigkeit, höhere Spannungen zu handhaben, da sie eine zusätzliche haben p Region. Schaltzeiten für MOSFETs sind vergleichsweise schneller. Ativar meu chip vivo.This means many Norwegians resort to online gambling websites to play popular slot machines and table games instead.
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4. O IGBT possui junções PN e os MOSFETs não os possuem. 6. O MOSFET tem uma longa história em comparação com o IGBT. The bipolar transistors were the only real power transistor used until the very efficient MOSFETs came along in the early 1970’s. The BJTs have gone through vital enhancements of its electrical performance since its inception in late 1947 and is still widely used in electronic circuits. The bipolar transistors have relatively slow turn-off characteristics and they exhibit negative temperature coefficient which may result in secondary breakdown. MOSFETs, however, are devices that are voltage controlled rather than current-controlled. Resenhas juegos de billar pool gratis para descargar de produtos. Then, IGBTs came into the picture in the late 1980s. The IGBT is basically a cross between the bipolar transistors and MOSFETs and is also voltage-controlled like MOSFETs.
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