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Alto custo por kVA para tensões acima de 300 V. Vantagens: Desvantagens: Outros Dispositivos. Um deles é o MCT (Tiristor controlado por porta MOS) cuja estrutura e símbolos são mostrados na figura 13. Este tipo de transistor, apesar de ter sido desenvolvido a partir de 1992 não chegou ainda a um produto prático. Considera-se portanto que se trata de um dispositivo que não passou da fase experimental. Um segundo dispositivo que merece destaque e que se inclui nesta família é o IEGT ou Injection Enhanced Gate Thyristor ou Tiristor de Comporta Enriquecida por Injeção. Na figura 14 temos a estrutura deste dispositivo. As curvas de condução dos dois dispositivos são comparadas na figura 15. Empresas de jogos online apostas.The fake watch has the wrong inscriptions.
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