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오디오용 앰프에도 IGBT의 사용이 가능하며, 일부 SR용 파워앰프에 도입되었다. 2. 주요 사용처 [편집] 특히 GTO였던 차량도 IGBT로 개조하는 일도 많은데, 비용을 들여서라도 개조하는 것을 보면 전력 효율이 상당히 좋은 모양이다. 또한 한국에서는 2010년대 이후로는 IGBT 기반의 IPM(Intelligent Power Module)을 사용하는 미쓰비시 그룹의 소자를 현대로템과 우진산전, 다원시스가 채용하면서 해당 소자가 들어간 차량들의 점유율이 증가하는 추세였으며 2020년대 이후에는 도시바 PMSM의 점유율도 증가하는 추세이다. IGBT工作于饱和状态时，集-射极之间的电压，其中VCES中，V表示电压，C、E分别表示集电极(Collector)与发射极(E.rnitter)，S 表示短路( Short)。V CES的具体含义是“Maximum Collector-Emitter voltagewith gate-emitter shorted”，即“栅极与发射极短接时，集电极与发射极间能够承受的最大电压”。测量Vces时，G/E两极必须短路；Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何手CE间的电压不能超过这一数值，否则造成器件击穿损坏。此外，不同制作商关于Vces参数，可能另外形式的参数如Vce,V(BR)ces等。Vce,Vces属于极限参数，含义一样，不同制作商称呼不同而已。早期使用V CE比较多，现在则使用VCES居多，主要是因为VCE常常用来表示IGBT以及BJT的C-E间电压。VCE会出现在多数 IGBT的技术手册的标题位置，同时出现的一般还有Ic，它们是表征IGBT技术特性的比较直观的参数。多大的管子，多大的IGBT，大致指的就是这两项参数。 V（BR) CES中BR指的是击穿电压(Breakdown voltage)，它与VCES的区别是给出了击穿电流，指1GBT在指定集电极电 流的情况下，能够击穿IGBT的最小电压值。V， BR) CES与V CES的数值是相同的。实际上，V，BR) CES给出了VCES的测试条件。不过，有些产品的技术手册中并不给出V（BR) CES的值。VCES表示的是IGBT在关断条件下能承受的最大正向电压。Vces和短路电流Isc 一起构成IGBT 模块的全工作区：RBSOA图. 2.饱和压降Vcesat: V CE(sat)与VCE（ON)的含义是一样的，本文采纳VCE(sat)。 和V CE(sat)关系紧密的相关参数有Ic和Tj技术手册中给出的都是典型值，且给出V CE(sat)的同时会给出相应的测试条件。虽然因为Ic和Tj的变化V CE(sat)的变化只有几V，但是对于数百A乃至更大电流的应用，这也是很重要的：对于100A的应用来说，1V的变化相当于自身功耗变化100W！ 上图参数类似与Vces at Tj 25℃ IF：Internal diode RMS forward current，体二极管正向平均电流。 LS600 Series. This WebSite uses cookies to provide you with a better service. By continuing to browse this site, you give consent for cookies to be used. Copyright © 2020-2023 LONG SHENQ All rights reserved. Spread basquete.Nicholas Michael Forster, one of the All-time top goal scorers in Brighton history , is a former pro football player who most recently was the manager of Staines Town . Forster has also been a player and then a manager at Brentford and manager at Dover Athletic .
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