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Características de capacitância do portão. As características da porta IGBT estão essencialmente alinhadas com os mesmos princípios aplicados aos MOSFETs de potência e fornecem as variáveis que decidem a corrente e a dissipação da unidade do dispositivo. Dados Técnicos: Ela deixa o ambiente mais acolhedor e ainda jogos para baixar para computador leva um pouco de cor para os ambientes. Período 2: Enquanto a transição da região ativa para a região de saturação ocorre, a tensão do coletor-emissor começa a se alterar e a capacitância do coletor do portão Cgc é carregada. Por outro lado, enquanto um IGBT está totalmente no estado LIGADO, a mudança na tensão no coletor-emissor (VCE) e o efeito de espelho desaparecem. “o que é um sensor lambda ” A corrente de acionamento da porta IGBT depende da resistência da série da porta interna Rg, da resistência da fonte do sinal Rs do circuito do driver, do elemento rg que é a resistência interna do dispositivo e da tensão da unidade VGE (ON). IG (pico) = VGE (ligado) / Rg + Rs + rg. Normalmente, a corrente de pico passa a ser menor do que o valor determinado pela fórmula, devido ao atraso envolvido em um circuito driver e também ao atraso no aumento dIG / dt da corrente da porta. Além disso, as propriedades de comutação para cada ativação e desativação podem depender enormemente de Rg. Cálculo de perda de unidade. P (perda de unidade) = VGE (ligado) × Qg × f. Considerando que o IGBT é um componente de chaveamento, sua velocidade de ativação e desativação está entre os principais fatores que impactam sua eficiência operacional (perdas).
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