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Credit: IXYS Corporation. Conduction loss. Application. After evolving side by side over the past three decades, insulated gate bipolar transistors (IGBTs) and MOSFETs now dominate the power semiconductor market in applications such as motor drives, uninterruptible power supplies (UPS), and solar inverters. So where do IGBTs make the best fit, and when does it make better design sense to go with a MOSFET? The IGBT is a semiconductor device that combines the output characteristics of a bipolar transistor and the gate drive characteristics of a MOSFET. So, the IGBT is a minority-carrier device with high input impedance and high current-carrying capability. Compared to MOSFETs, IGBTs also are better suited to scale in current handling capability at higher voltage levels due to their bipolar output characteristics. In N-channel MOSFETs, only electrons flow during forward conduction, and there are no minority carriers. Thus, the switching speed is limited only by the rate that charge is supplied or removed from the parasitic capacitances of the MOSFET. This is a key point to note and is the main reason why power MOSFETs are used when high switching speeds are essential for the end application. The main advantages of an IGBT over a power MOSFET are the much lower on-state voltage drops due to conductivity modulation.
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