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SiC-MOSFET应用实例2：脉冲电源. 特征 ・超高耐压伪N通道 SiC MOSFET ・低导通电阻 （以往产品的1/100以下） ・高重复频率 应用例 ・荷电粒子加速器 ・医疗用设备电源 ・等离子发生器等. Silicon Carbide MOSFETs Challenge IGBTs. SiC excels over Si as a semiconductor material in 600-V and higher-rated breakdown voltage devices. SiC Schottky diodes at 600-V and 1200-V ratings are commercially available today and are already accepted as the best solution for efficiency improvement in boost converter topologies. In addition, these diodes find use in solar inverters, because they have lower switching losses than the Si PIN freewheeling diodes now used in that application. The new generation of SiC MOSFETs cuts drift-layer thickness by nearly a factor of 10 while simultaneously enabling the doping factor to increase by the same order of magnitude. Classificação suecia allsvenskan.revista magalu. chá de bebê.
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