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The device design concept for PT-IGBT and the NPT-IGBT can be either symmetrical or asymmetrical. It means that symmetrical IGBT is mainly applicable in AC circuits. On the other hand, asymmetrical IGBT is applicable in DC circuits, and that’s because they don’t need any supported reverse voltage. Circuits using the IGBT working principle usually feature modeling using circuit simulators like Saber and SPICE. For an even more precise prediction, heat and temperature are included in the simulation process. The most common modeling methods for IGBT’s device design concept are: The SPICE simulator uses the MacroModel method, which combines various components, such as MOSFETs and BJTs, using a Darlington configuration. Due to IGBT’s reliance on voltage to function, the devices require only a tiny amount of voltage supplied on the Gate terminal to maintain conduction. At the same time, the IGBT is a unidirectional device, which means it only switches in a “forward direction” (from the Collector to Emitter). Note that under dynamic conditions, the IGBT may experience a latch-up current when the device switches OFF. When a continuous ON-state driving current seems to exceed a critical value, this is a latch-up current. IGBT Working Principle–Applications of IGBT. Apostar em partidas de futebol de graça.O que é um espaço de trabalho e como faço para reservá-lo? Usar o Assistente de Agendamento e o Localizador de Salas para reuniões no Outlook.
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